以IRFP460为例,测试条件为ID=250μA,连接见图,D和G短路接仪器C端,S接仪器E端。扫描电源:10V电源极性:NPN(+)测试模式:重复功耗电阻:100Ω栅极电阻:0Ω垂直:0.1mA/格 移位Y0=+0.1mA水平:1V/格 移位X0=0阶梯:1V/级 阶梯级数:10级 将“扫描电源%”旋钮调到0位置,启动测试后慢慢调高“扫描电源%”旋钮,使曲线超出250μA,则MOSFET已经开启,开启电压就是ID=250μA处的电压。如图57,实测开启电压为2.978V。 上一篇:这是本分类下第一篇文章 下一篇: 使用数字存储图示仪WQ4830测量三极管的直流放大倍数hFE
扫描电源:10V
电源极性:NPN(+)
测试模式:重复
功耗电阻:100Ω
栅极电阻:0Ω
垂直:0.1mA/格 移位Y0=+0.1mA
水平:1V/格 移位X0=0
阶梯:1V/级
阶梯级数:10级
将“扫描电源%”旋钮调到0位置,启动测试后慢慢调高“扫描电源%”旋钮,使曲线超出250μA,则MOSFET已经开启,开启电压就是ID=250μA处的电压。如图57,实测开启电压为2.978V。