晶体管特性图示仪测量MOSFET的开启电压（Gate Threshold Voltage），方法2

以IRFP460为例，测试条件为ID=250μA，连接见图，D和G短路接仪器C端，S接仪器E端。
扫描电源：10V
电源极性：NPN(+)
测试模式：重复
功耗电阻：100Ω
栅极电阻：0Ω
垂直：0.1mA/格   移位Y0=+0.1mA
水平：1V/格      移位X0=0
阶梯：1V/级 
阶梯级数：10级
将“扫描电源%”旋钮调到0位置，启动测试后慢慢调高“扫描电源%”旋钮，使曲线超出250μA，则MOSFET已经开启，开启电压就是ID=250μA处的电压。如图57，实测开启电压为2.978V。